要闻：LSI发布SandForce闪存控制器革新技术

全面改善目前闪存的可靠性、耐久性和价格

年9月4日电/美通社/ -- lsi企业(纳斯达克: LSI )公布了其最新的lsi(r ) sandforce(r )闪存控制器创新技术，并在最近举行的美国加州闪存峰会上进行了演示

lsi(r ) sandforce(r )闪存控制器的新技术包括lsi shield(tm ) ( lsi(r技术/双核类/页/串行-错误-核心) 这是一种高级纠错方法，即使采用高错误率、廉价的闪存，也能实现公司级的ssd耐久性和数据完整性。 shield是低密度奇偶校验( ldpc )代码和数字信号解析( dsp )的独特实现，用于下一代sandforce闪存控制器。 该技术将硬判决、软判决和dsp完美融合，提供一种针对闪存优化的综合纠错码( ecc )处理方案。

与现有的ldpc实现方法相比，lsi shield技术具有许多特点，集中了以下特点。

――自适应编码率:在ssd生命周期内动态平衡性能和可靠性。
--智能地解决瞬态噪声:降低整个ldpc的延迟，改善ecc效率。
--多级别的ecc模式:及时应用更高级别的ecc，最小化延迟并保持最佳闪存性能。

lsi副社长兼闪存模块部社长huibert verhoeven表示:“虽然nand闪存的价值提高，闪存处理程序的普及率提高，但考虑到目前产品制造尺寸的缩小会带来可靠性降低和采用寿命缩短等问题。 LSI shell技术使用通过比较ssd优化的高级纠错功能来解决这些难题，并将最新的nand闪存转换为更强健的存储处理方案。

最新技术亮点:

shield技术:演示文稿基于闪存的各种原始误码率( rber )比较了三种技术，shield技术与现有的ldpc和bose-chaudhuri-hocquenghem(bch )进行了比较 / br/ --双写虚拟容量( LSI /技术/双类/页/双写虚拟-容量) 根据lsi使用常用数据库应用程序进行的内部测试，dvc可以将客户数据的存储容量提高三倍以上。 在演示dvc功能的过程中，展示了该技术的许多应用。
--东芝先进19纳米闪存: lsi sandforce sf-2000闪存控制器目前支持东芝第二代先进19纳米与闪存( a19nm )，为ssd内存 本演示将展示东芝a19nm闪存技术ssd，该技术被设置为辅助驱动器，并介绍典型的文件传输操作。

顾客的引言

kingston公司的ssd业务经理ariel perez表示:“kingston能够为现有业务负荷新闻量较小的重要客户提供最新的LSISAN-Force Durawrite Virtual Capacity技术，特别令人兴奋。 明确了通过与这些客户的存储工程师密切合作，可以大幅降低客户每gb可用容量价格的具体实施方案。 dvc为了充分利用该技术的多方面性能特性，放弃了以前流传的硬盘，增加了使用基于闪存的ssd产品的企业客户。

东芝电子设备公司( taec )存储事业部高级副总裁scott nelson表示，与lsi公司密切合作，将东芝第二代先进19nm(a19nm ) nand产品用于固态硬盘，首次进行了公开演示。 lsi sandforce闪存控制器旨在更有效地集成a19nm nand闪存技术，无疑在固态存储市场中占有重要地位。

it brand pulse是一个独立的市场研究和验证实验室，lsi在ssd控制器芯片产品上获得了该公司评选的创新领袖奖。 在it brand pulse最近进行的调查( itbrandpulse/research/brand-leader-program/225-SSD -控制器芯片- )中，我们介绍了LSI三星发表器

关于lsi

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